Effects of dissipative electron tunneling manifested in the photocurrent of a GaAs p-i-n photodiode with a double InAs quantum dot layer

ИР автоматически получен из ЭБС Scoupus [загружен 01.10.2021]
Категория: физико-математические науки
Авторы (ПГУ): Кревчик Владимир Дмитриевич [50]  , Семенов Михаил Борисович [50]  , Семенов Иван Михайлович [0]  
Тип: Статья
Вид: электронное немультимедийное издание
Количество частей: 1
Год издания: 2021
Издательство: ACADEMIC PUBLICATIONS, LTD.; HTTPS://IJPAM.EU
Место опубликования: Journal of Physics: Conference Series
Индексация: Scopus, входящем в 3(Q3) и 4 (Q4) квартили (тип документа Article, Review, Proceedings Paper, Book Chapter)
Целевая аудитория: Преподаватель
Целевое назначение: Научное
Лицензия: Нет ограничений
Ограничения: Нет ограничений
Правообладатель: ПГУ
DOI: 10.1088/1742-6596/1851/1/012016
Внешняя веб-ссылка: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85104655629&origin=inward
Язык: Русский
Место хранения:Электронная библиотека ПГУ
Дата размещения:22.10.2021
Владелец:Кревчик Владимир Дмитриевич
Ссылка на ресурс:
http://elib.pnzgu.ru/library/1633111065
Формат: Не указан