Главная
» Электронная библиотека » Фотодиэлектрический эффект, связанный с возбуждением примесных комплексов A++e в квазинульмерных структурах в условиях 1D-диссипативного туннелирования во внешнем магнитном поле
Фотодиэлектрический эффект, связанный с возбуждением примесных комплексов A++e в квазинульмерных структурах в условиях 1D-диссипативного туннелирования во внешнем магнитном поле
| Категория: | физико-математические науки | |
| Авторы (ПГУ): | Кревчик Владимир Дмитриевич [50]  , Разумов Алексей Викторович [25] , Семенов Михаил Борисович [25] | |
| Аннотация: | Актуальность и цели. В настоящее время значительный интерес представляют способы бесконтактного управления диэлектрическими свойствами полупроводниковых наноструктур и окружающей их матрицы. Оптическая модуляция диэлектрической проницаемости в сочетании с управляемыми туннельными процессами дают возможность направленного изменения свойств низкоразмерных структур и, как следствие, оптимизации характеристик приборов полупроводниковой наноэлектроники. В этой связи полупроводниковые квантовые точки, туннельно-связанные с окружающей матрицей, представляют интерес, так как в таких структурах возможно образование примесных комплексов A + + e , фотовозбуждение которых может приводить к фотодиэлектрическому эффекту (ФДЭ). Цель работы заключается в теоретическом исследовании влияния туннельной прозрачности потенциального барьера на ФДЭ, связанный с возбуждением примесных комплексов A + + e в квазинульмерных структурах во внешнем магнитном поле. Материалы и методы. Относительное изменение диэлектрической проницаемости (ОИДП) рассчитано в дипольном приближении. Кривые полевой зависимости ОИДП построены для InSb квантовой точки. Численные расчеты и построение графиков проводились с помощью систем численной математики Mathcad 14.0 и Wolfram Mathematica. Результаты. В дипольном приближении исследована зависимость ОИДП в квазинульмерной полупроводниковой наноструктуре от величины индукции внешнего магнитного поля и параметров 1D-диссипативного туннелирования. Выявлен дихроизм ФДЭ, связанный с наличием внешнего магнитного поля. Показано, что внешнее магнитное поле подавляет ФДЭ, что связано с усилением локализации электронной волновой функции в магнитном поле, а также с модификацией электронного адиабатического потенциала. Показано, что величина ОИДП зависит от параметров диссипативного 1D-туннелирования. Выводы. В магнитном поле возможно эффективное управление ФДЭ за счет модификации электронного адиабатического потенциала и электронной волновой функции путем варьирования параметров диссипативного туннелирования. | |
| Тип: | Статья | |
| Вид: | электронная копия бумажного издания | |
| Количество частей: | 1 | |
| Год издания: | 2025 | |
| Издательство: | издателство ПГУ | |
| Где опубликовано: | Журнал | |
| Индексация: | РИНЦ | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель, Исследователь, Преподаватель, Учащийся | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Отрасль науки: | 01.04.10 Физика полупроводников | |
| Лицензия: | Нет ограничений | |
| Ограничения: | Нет ограничений | |
| Правообладатель: | Издательство ПГУ | |
| ISSN: | 2072-3040 | |
| УДК: | 539.23; 539.216.1 | |
| DOI: | 10.21685/2072-3040-2025-2-10 | |
| Импакт-фактор журнала (SJR): | 0,44 | |
| Библиографическая ссылка: | Кревчик, В. Д. Фотодиэлектрический эффект, связанный с возбуждением примесных комплексов a+ + e в квазинульмерных структурах в условиях 1D-диссипативного туннелирования во внешнем магнитном поле / В. Д. Кревчик, А. В. Разумов, М. Б. Семенов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. – 2025. – № 2(74). – С. 134-165. | |
| Страницы (с ... по ...): | с 134 по 165 | |
| Том: | 74 | |
| Внешняя веб-ссылка: | https://elibrary.ru/item.asp?id=82937375 | |
| Язык: | Русский | |
| Место хранения: | Электронная библиотека ПГУ | |
| Дата размещения: | 14.10.2025 | |
| Владелец: | Кревчик Владимир Дмитриевич | |
| Ссылка на ресурс: | http://elib.pnzgu.ru/library/1760415225  | |
| Формат: | Бумажный |