Технология изготовления и расчет параметров эпипланарного биполярного транзистора

Ошибка подключения к БД
Авторы (ПГУ): Рахмонов Парвиз Давронович [100] 
Год защиты: 2025
Специальность:
Название: Технология изготовления и расчет параметров эпипланарного биполярного транзистора
Владелец: Вигерич Надежда Филипповна
Дата: 20.06.2025
Тип документа: Выпускная квалификационная работа (ВКР)
Дата создания:04.07.2025 11:35
Файл для скачивания:
Ссылка на ресурс:
http://elib.pnzgu.ru/library_doc/61212