Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых транзисторов

Категория: техника
Скачивание доступно только для авторизованных пользователей
Авторы (ПГУ): Головяшкин Алексей Николаевич [100]  
Аннотация: Представлено описание лабораторных работ по курсу «Твердотельная электроника». Изложена методика исследования физических процессов в полупроводниковых транзисторах, их основных свойств, характеристик и параметров. Приведены краткие сведения по физике полупроводниковых компонентов, структуре и принципе действия транзисторов, а также необходимые справочные данные для проведения расчетов и обработки экспериментальных результатов и основных характеристик. Даны рекомендации по оформлению отчета.
Тип: Методические указания (рекомендации) для обучающихся по изучению дисциплины (модуля) с учетом формы обучения
Вид: электронная копия бумажного издания
Количество частей: 1
Год издания: 2021
Издательство: Издательство ПГУ
Индексация: Индексация отсутствует
Целевая аудитория: Учащийся, Преподаватель
Целевое назначение: Учебное
Отрасль науки: 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и нано -электроника , приборы на квантовых эффектах
Лицензия: Нет ограничений
Ограничения: Нет ограничений
Правообладатель: Головяшкин А.Н.
УДК: УДК 621.384 (075.8)
Библиографическая ссылка: Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых транзисторов: метод. указания к лабораторным работам / А.Н. Головяшкин. - Пенза: Изд-во ПГУ, 2021. - 28 с.
Общий объем (п.л.): 1,63
Язык: Русский
Место хранения:ПГУ, вне электронной библиотеки
Дата размещения:15.11.2021
Владелец:Головяшкин Алексей Николаевич
Ссылка на ресурс:
http://elib.pnzgu.ru/library/1635684189
Формат: Не указан