Автор: Головяшкин Алексей Николаевич
| Название: | 
|
|
| Тематика: | ||
| Вид ресурса: | ||
| Тип ресурса: | ||
| Дата загрузки: | ||
| Название: |
|
|
| Тематика: | ||
| Вид ресурса: | ||
| Тип ресурса: | ||
| Дата загрузки: | ||
| Название: |
|
|
| Тематика: | ||
| Вид ресурса: | ||
| Тип ресурса: | ||
| Дата загрузки: | ||
| Название: |
|
|
| Тематика: | ||
| Вид ресурса: | ||
| Тип ресурса: | ||
| Дата загрузки: | ||
| Название: |
|
|
| Тематика: | ||
| Вид ресурса: | ||
| Тип ресурса: | ||
| Дата загрузки: | ||
| Название: |
|
|
| Тематика: | ||
| Вид ресурса: | ||
| Тип ресурса: | ||
| Дата загрузки: | ||
| Название: | Рабочая программа дисциплины М.1.2.1. Автоматизированные методы проектирования нано- и микроэлектронных структур |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Учебная программа | |
| Целевое назначение: | Учебное | |
| Целевая аудитория: | Учащийся | |
| Дата издания: | 2015 | |
| Дата загрузки: | 22.08.2017 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Analysis of the technological parameters influence on the reproducibility of the active dielectrics properties |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Аннотация: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8435090 | |
| Дата издания: | 2018 | |
| Дата загрузки: | 13.11.2018 | |
| Издательство: | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc | |
|
ИР получен из базы данных "Scopus" автоматически
| ||
| Название: | Исследование влияния технологических параметров на воспроизводимость свойств активных диэлектриков // Модели, системы, сети в экономике, технике, природе и обществе. - №1, 2018.- С. 167 – 178. |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Аннотация: | https://mss.pnzgu.ru/mss118 | |
| Дата издания: | 2018 | |
| Дата загрузки: | 09.11.2018 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ "ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ" |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | программное обеспечение | |
| Тип ресурса: | Учебное пособие | |
| Целевое назначение: | Учебное | |
| Целевая аудитория: | Учащийся | |
| Аннотация: | https://elibrary.ru/item.asp?id=34860676 | |
| Дата издания: | 2017 | |
| Дата загрузки: | 20.11.2018 | |
| Издательство: | Издательский дом "Интеллектуальная собственность" (Москва) | |
| Название: |
|
|
| Тематика: | ||
| Вид ресурса: | ||
| Тип ресурса: | ||
| Дата загрузки: | ||
| Название: | Проектирование электронной компонентной базы: учебное пособие / Ю. В. Аношкин, А. Н. Головяшкин ; Пенз. гос. ун-т. - Пенза : Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2018. - 140 с. : ил. - ISBN 978-5-907018-51-8 | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Учебное пособие | |
| Целевое назначение: | Учебное | |
| Целевая аудитория: | Учащийся | |
| Дата издания: | 2018 | |
| Дата загрузки: | 21.11.2018 | |
| Издательство: | Изд. ПГУ | |
| Название: | Анализ и проектирование комплексных систем безопасности |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2019 | |
| Дата загрузки: | 24.09.2019 | |
| Издательство: | ПГУ | |
| Название: | Волик А. В., Головяшкин А. Н. ПОИСК ОБЪЕКТА НА ИЗОБРАЖЕНИИ С ПОМОЩЬЮ ПЕРЦЕПТИВНОГО ХЭШ-АЛГОРИТМА И РАССТОЯНИЙ ХЭММИНГА// Методы, средства и технологии получения и обработки М54 измерительной информации («Шляндинские чтения - 2019»): материалы XI Межд | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Дата издания: | 2019 | |
| Дата загрузки: | 29.11.2019 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Головяшкин А. Н., Суркова К. А., Головяшкин А. А. ОСОБЕННОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ И МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРЕДПОРОГОВЫХ ТОКОВ МДП-СТРУКТУР // МЕТОДЫ, СРЕДСТВА И ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ И ОБРАБОТКИ ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ИНФОРМАЦИИ («ШЛЯНДИНСКИЕ ЧТЕНИЯ - 2019») Материалы XI Межд | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Научная конференция с очным участием (с публикацией сборника в РИНЦ) | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Дата издания: | 2019 | |
| Дата загрузки: | 29.11.2019 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Возможности применения МДП-фототранзисторов для многоэлементных (матричных) фотоприемников | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Производственно-практическое | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Дата издания: | 2020 | |
| Дата загрузки: | 03.09.2024 | |
| Издательство: | Издательство Пензенского государственного университета. Технические науки | |
| Название: | Тонкопленочные резисторы: структура, параметры, изготовление | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2020 | |
| Дата загрузки: | 29.10.2020 | |
| Издательство: | ПГУ | |
| Название: | Фотоприемники в оптоэлектронике. сравнительный анализ | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2020 | |
| Дата загрузки: | 29.10.2020 | |
| Издательство: | ПГУ | |
| Название: | Возможности применения МДП фототранзисторов для многоэлементных (матричных) | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2020 | |
| Дата загрузки: | 19.11.2020 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Моделирование контактного сопротивления тонкоплёночных датчиков | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2020 | |
| Дата загрузки: | 19.11.2020 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых транзисторов | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Методические указания (рекомендации) для обучающихся по изучению дисциплины (модуля) с учетом формы обучения | |
| Целевое назначение: | Учебное | |
| Целевая аудитория: | Учащийся | |
| Аннотация: | Представлено описание лабораторных работ по курсу «Твердотельная электроника». Изложена методика исследования физических процессов в полупроводниковых транзисторах, их основных свойств, характеристик и параметров. Приведены краткие сведения по физике полупроводниковых компонентов, структуре и принципе действия транзисторов, а также необходимые справочные данные для проведения расчетов и обработки экспериментальных результатов и основных характеристик. Даны рекомендации по оформлению отчета. | |
| Дата издания: | 2021 | |
| Дата загрузки: | 15.11.2021 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | ВАКУУМНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ НАПЫЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Учебное пособие | |
| Целевое назначение: | Учебное | |
| Целевая аудитория: | Учащийся | |
| Аннотация: | Рассмотрены основные функциональные элементы вакуумных установок, средств откачки и контроля вакуума, методы контроля толщины тонких пленок и принцип работы промышленных вакуумных установок. Представлено описание лабораторных работ по каждому изучаемому раз-делу. Приведены необходимые справочные данные для проведения расчетов, обработки экспериментальных результатов и зависимостей. Даны рекомендации по оформлению отчета. Учебное пособие подготовлено на кафедре «Нано-и микроэлектроника» Пензенского государственного университета и предназначены для студентов направлений подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» и 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника», а также других направлений, образовательные программы которых предусматривают изучение тонкопленочной технологии. | |
| Дата издания: | 2021 | |
| Дата загрузки: | 10.11.2021 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Разработка методики проектирования полевого МДП-фототранзистора (сенсорного элемента) инфракрасного датчика. |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Аннотация: | Аннотация. Актуальность и цели. В настоящее время для МДП-фототранзисторов отсутствует подробная методика расчета и проектирования за исключением подробного описания структуры и принципа действия. Дан- ные приборы имеют большой потенциальный рынок сбыта как в гражданских, так и военных сферах. Целью рабо- ты является разработка методики проектирования сенсорного элемента инфракрасного датчика на базе полевого МДП-фототранзистора. Материалы и методы. Объектом исследования выступает МДП-фототранзистор. Пред- метом исследования является методика расчета и проектирования МДП-фототранзистора, выполняющего роль инфракрасного датчика. Результаты. Рассмотрены преимущества и недостатки МДП-фототранзистора в каче- стве фотоприемника. В рамках работы создана математическая модель оценки оптических свойств МДП- фототранзистора. Выведена прямая функциональная зависимость тока стока от падающего потока излучения, а также выполнен расчет основных характеристик устройства. Осуществлено моделирование процесса освеще- ния структуры потоком излучения заданной частоты. Графически отражены изменения некоторых оптических параметров прибора. Итогом проведения работ стало создание рабочей математической модели для оценки оп- тических свойств МДП-фототранзистора с различной структурой. Разработана подробная методика расчета и проектирования МДП-фототранзистора, выполняющего роль ИК-датчика. Ключевые слова: оптоэлектроника, фотоприемник, поглощение излучения, фототранзистор, многослойная структура, математическая модель, методика проектирования | |
| Дата издания: | 2021 | |
| Дата загрузки: | 18.11.2021 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Моделирование процесса распыления магнетронного распыления в импульсном режиме | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2021 | |
| Дата загрузки: | 19.11.2021 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | СНИЖЕНИЕ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ ПОГРЕШНОСТИ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ ДИФФУЗИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ТОЛЩИНЫ P-N-ПЕРЕХОДОВ НА СЕЧЕНИЕ РЕЗИСТОРА | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Производственно-практическое | |
| Целевая аудитория: | Промышленность | |
| Аннотация: | Аннотация. Диффузионные резисторы широко используются в аналоговых микросхемах. Достоинством диффузионных резисторов является то, что они изготавливаются в едином технологическом процессе вместе с активными элементами микросхемы. Алгоритм расчета, представленный на открытых интернет-ресурсах, является неточным, т.е. дает высокую погрешность номинала. Одной из составляющих суммарной погрешности номинала является погрешность на проектирование резистора. В статье рассматривается методика расчета диффузионных резисторов, которая позволяет уменьшить погрешность воспроизведения на стадии проектирования резистора за счет учета влияния областей объемного заряда p-n-переходов на сечение резистора. | |
| Дата издания: | 2021 | |
| Дата загрузки: | 16.11.2022 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Анализ технологических возможностей совершенствования металлопленочного датчика давления |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2022 | |
| Дата загрузки: | 09.11.2022 | |
| Издательство: | Изд. ПГУ | |
| Название: | Тонкоплёночная электроника | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Учебник (с грифом ПГУ) | |
| Целевое назначение: | Учебное | |
| Целевая аудитория: | Учащийся | |
| Аннотация: | Рассмотрены тонкоплёночные элементы и устройства электрон- ной и микросистемной техники. Приведены необходимые справоч- ные данные для проведения расчётов и проектирования гибридных тонкоплёночных интегральных микросхем и микросборок. Дано опи- сание некоторых технологических операций, которые определяют элементы будущей конструкции изделия. Издание подготовлено на кафедре «Нано- и микроэлектроника» Пензенского государственного университета и предназначено для обучающихся по направлениям подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» и 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника», а также других направлений, образовательные программы которых предусматривают изучение тонкоплёночной электроники, и может быть полезно для инженеров, занимающихся разработкой различных устройств на основе тонкоплёночных элементов. | |
| Дата издания: | 2022 | |
| Дата загрузки: | 16.11.2022 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Исследование характеристик и параметров полупроводниковых компонентов с помощью характериографа | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Методические указания (рекомендации) для обучающихся по изучению дисциплины (модуля) с учетом формы обучения | |
| Целевое назначение: | Учебное | |
| Целевая аудитория: | Учащийся | |
| Аннотация: | Представлено описание лабораторных работ по курсу «Твердотельная электроника». Изложена методика исследования характеристик и парамет- ров в полупроводниковых активных компонентах с помощью схем характе- риографа, собранных на основе осциллографа. Приведены краткие сведения по физике полупроводниковых компонентов, структуре и принципах дей- ствия диодов и транзисторов, а также необходимые справочные данные для проведения расчетов и обработки экспериментальных результатов и основ- ных характеристик. Даны рекомендации по оформлению отчета. Издание подготовлено на кафедре «Нано- и микроэлектроника» ПГУ и предназначено для обучающихся по направлениям подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» и 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника». | |
| Дата издания: | 2022 | |
| Дата загрузки: | 16.11.2022 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Аннотация: | Основной целью проделанной работы является разработка методики расчёта основных параметров структуры биполярного транзистора с изолированным затвором с целью исключения эффекта «защёлкивания». | |
| Дата издания: | 2022 | |
| Дата загрузки: | 21.11.2022 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Расчет тока и напряжения насыщения МДП-транзистора в условиях вырожденного канала | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Аннотация: | В работе представлены результаты расчёта напряжения затвора с учётом статистик Максвелла – Больцмана и Ферми – Дирака, условие вырождения проводящего канала МДП – транзистора, алгоритм расчёта параметров МДП транзистора в условиях вырожденного канала. | |
| Дата издания: | 2022 | |
| Дата загрузки: | 21.11.2022 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Применение сенсорных элементов на основе МДП-структур для санитарно-гигиенической оценки воздуха операционных блоков |
|
| Тематика: | медицина | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Дата издания: | 2022 | |
| Дата загрузки: | 21.11.2022 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОМБИНИРОВАННОГО ФОТО- И ТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА СТРУКТУРУ И СВОЙСТВА ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА ДЛЯ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Дата издания: | 2023 | |
| Дата загрузки: | 10.11.2023 | |
| Издательство: | Издательство "Новые технологии" | |
| Название: | Полупроводниковые микроэлектромеханические системы датчиков давления |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2023 | |
| Дата загрузки: | 27.10.2023 | |
| Издательство: | Изд. ПГУ | |
| Название: | Влияние параметров структуры лавинного фотодиода на его характеристики |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2023 | |
| Дата загрузки: | 27.10.2023 | |
| Издательство: | Изд. ПГУ | |
| Название: | Исследование структурных и электрофизических параметров плёнок ZnO:Al, полученных золь-гель методом |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Дата издания: | 2023 | |
| Дата загрузки: | 20.11.2023 | |
| Издательство: | Издательство "Новые технологии" | |
| Название: | Алгоритмы вычисления циклического избыточного кода |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Сборник статей, трудов | |
| Целевое назначение: | Производственно-практическое | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Аннотация: | Контрольная сумма в настоящее время используется для выявления ошибок в сообщении, что приводит к увеличению достоверности передаваемой информации. В данной статье рассмотрены некоторые методы расчета контрольной комбинации, сравнение их быстродействия, для чего было написано программное обеспечение на языке программирования С, позволяющее получить информацию о времени подсчета контрольной комбинации. | |
| Дата издания: | 2024 | |
| Дата загрузки: | 03.09.2024 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Ускорение вычисления контрольной комбинации |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Сборник статей, трудов | |
| Целевое назначение: | Производственно-практическое | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Аннотация: | Основная идея параллельного алгоритма заключается в полном использовании современных процессоров с точки зрения параллелизма как на уровне команд, так и на уровне потоков. Эти ресурсы используются в алгоритмах для ускорения циклической проверки избыточности (CRC). В данной статье сравниваются между собой некоторые методы расчета контрольной комбинации, а именно сравнивается быстродействие последовательных методов расчета CRC и параллельных алгоритмов. | |
| Дата издания: | 2024 | |
| Дата загрузки: | 03.09.2024 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Полупроводниковая МЭМС на базе структуры «кремний на диэлектрике» |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Сборник статей, трудов | |
| Целевое назначение: | Производственно-практическое | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Аннотация: | Целью работы является разработка полупроводниковых МЭМС-датчиков давления на базе раннее разработанных методик расчётов, алгоритмов и компьютерных программ, реализующих установленные оптимальные соотношения между параметрами микроэлектромеханической системы и обеспечивающие повышенную точность измерения, чувствительность, линейность. Конструкции полупроводниковых МЭМС-датчиков давления, созданные с использованием этих инженерных методик расчета, обеспечивают повышение чувствительности, значительное уменьшение погрешности нелинейности. Применение разработанных методик, алгоритма и программы позволило повысить точность расчетов микроэлектромеханической системы более чем в 7 раз (погрешность расчетов снижена с 55 до 6,6 %) | |
| Дата издания: | 2024 | |
| Дата загрузки: | 03.09.2024 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Методика определения напряжения лавинного пробоя в кремнии в зависимости от температуры и концентрации легирующей примеси в базе диодных структур |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Сборник статей, трудов | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Исследователь | |
| Аннотация: | При проведении расчётов и проектирования различных полупроводниковых компонентов на базе диодной структуры обязательным является определение предельных параметров, к которым относится максимально допустимое обратное напряжение. Во многих случаях это значение определяется напряжением лавинного пробоя, которое зависит от ряда факторов. К таким факторам относится температура и концентрация легирующей примеси в базовой области структуры. Поскольку параметры структуры необходимо оптимизировать для выполнения всех заданных требований технического задания на проектирование обязательно возникнет необходимость в проведении повторных расчётов напряжения лавинного пробоя при любых изменениях профилей распределения примеси в базе для различных температурных режимов работы диодной структуры. Для упрощения и ускорения инженерных расчётов в данной работе приведена методика определения напряжения лавинного пробоя, позволяющая одновременно учитывать влияние изменения концентрации базовой примеси и температуры для диодных структур на основе монокристаллического кремния. | |
| Дата издания: | 2024 | |
| Дата загрузки: | 03.09.2024 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Расчёт топологии тонкоплёночных индуктивных элементов |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Сборник статей, трудов | |
| Целевое назначение: | Производственно-практическое | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Аннотация: | Рассмотрена зависимость индуктивности, добротности и собственной резонансной частоты тонкоплёночной катушки индуктивности от конструктивных параметров. Предложена методика инженерного расчета топологии тонкоплёночных индуктивностей с помощью номограмм. | |
| Дата издания: | 2024 | |
| Дата загрузки: | 03.09.2024 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | Исследование параметров и характеристик полупроводниковых компонентов с помощью измерений барьерной ёмкости |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Методические указания (рекомендации) для обучающихся по изучению дисциплины (модуля) с учетом формы обучения | |
| Целевое назначение: | Учебное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Аннотация: | Представлено описание лабораторных работ по курсу «Твердотельная электроника». Изложена методика исследования параметров и характеристик полупроводниковых активных компонентов с помощью измерений барьерной ёмкости p-n переходов. Приведены краткие сведения по физике полупроводниковых компонентов, методике измерений барьерной ёмкости p-n переходов, построению и анализу получаемых вольт-фарадных характеристик диодных и транзисторных структур. | |
| Дата издания: | 2024 | |
| Дата загрузки: | 06.09.2024 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МЭМС НА БАЗЕ СТРУКТУРЫ "КРЕМНИЙ НА ДИЭЛЕКТРИКЕ" |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2024 | |
| Дата загрузки: | 22.10.2024 | |
| Издательство: | Изд. ПГУ | |
| Название: | Физика структур металл–диэлектрик–полупроводник | 
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Учебное пособие | |
| Целевое назначение: | Учебное | |
| Целевая аудитория: | Учащийся | |
| Аннотация: | Рассмотрены вопросы прикладной физики полевых эффектов в полупроводниковых структурах. Подробно рассмотрены расчет исходных параметров и характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник и методики их исследования. Данные параметры и характеристики являются основой для проектирования и конструирования полупроводниковых компонентов изделий электронной и микросистемной техники. Приведены необходимые справочные данные для проведения расчетов и моделирования указанных полупроводниковых структур. Дано описание функциональных схем для предварительного исследования и анализа полученных результатов по идентификации поверхностных состояний полупроводника. | |
| Дата издания: | 2024 | |
| Дата загрузки: | 26.11.2024 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Название: | ОБУЧЕНИЕ НЕЙРОННОЙ СЕТИ С ПОДКРЕПЛЕНИЕМ В РОБОТОТЕХНИКЕ |
|
| Тематика: | техника | |
| Вид ресурса: | электронная копия бумажного издания | |
| Тип ресурса: | Статья | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Целевая аудитория: | Преподаватель | |
| Дата издания: | 2025 | |
| Дата загрузки: | 03.10.2025 | |
| Издательство: | Изд. ПГУ | |