СНИЖЕНИЕ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ ПОГРЕШНОСТИ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ ДИФФУЗИОННЫХ РЕЗИСТОРОВ С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ТОЛЩИНЫ P-N-ПЕРЕХОДОВ НА СЕЧЕНИЕ РЕЗИСТОРА

Категория: техника
Авторы (ПГУ): Головяшкин Алексей Николаевич [100]  , Денисова Анастасия Евгеньевна [0]  
Аннотация: Аннотация. Диффузионные резисторы широко используются в аналоговых микросхемах. Достоинством диффузионных резисторов является то, что они изготавливаются в едином технологическом процессе вместе с активными элементами микросхемы. Алгоритм расчета, представленный на открытых интернет-ресурсах, является неточным, т.е. дает высокую погрешность номинала. Одной из составляющих суммарной погрешности номинала является погрешность на проектирование резистора. В статье рассматривается методика расчета диффузионных резисторов, которая позволяет уменьшить погрешность воспроизведения на стадии проектирования резистора за счет учета влияния областей объемного заряда p-n-переходов на сечение резистора.
Тип: Статья
Вид: электронная копия бумажного издания
Количество частей: 1
Год издания: 2021
Издательство: Издательство ПГУ
Где опубликовано: Сборник трудов симпозиума
Индексация: РИНЦ
Целевая аудитория: Промышленность, Учащийся
Целевое назначение: Производственно-практическое
Отрасль науки: 01.04.04 Физическая электроника
Лицензия: Нет ограничений
Ограничения: Нет ограничений
Правообладатель: Головяшкин А.Н.
ISSN: ISSN 2220-6418
УДК: УДК 621.382
Библиографическая ссылка: Головяшкин А.Н., Денисова А.Е., Селиверсова В.В. Надежность и качество: сб. трудов XXV-ого Международного симпозиума «Надежность и качество» в 2 т. / Под ред. Н.К. Юркова. – Пенза: Изд-во ПГУ, 2020. – Т. 1. С. 131 - 132.
Страницы (с ... по ...): 131-132
Том: 1
Авторский объем (п.л.): 5
Общий объем (п.л.): 0,5
Внешняя веб-ссылка: https://elibrary.ru/item.asp?id=47569833
Язык: Русский
Место хранения:ИР открытого доступа
Дата размещения:16.11.2022
Владелец:Головяшкин Алексей Николаевич
Ссылка на ресурс:
http://elib.pnzgu.ru/library/1654247627
Формат: Не указан