БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
| Категория: | техника | |
| Авторы (ПГУ): | Головяшкин Алексей Николаевич [100]  , Сидорова Нина Сергеевна [0] | |
| Аннотация: | Основной целью проделанной работы является разработка методики расчёта основных параметров структуры биполярного транзистора с изолированным затвором с целью исключения эффекта «защёлкивания». | |
| Тип: | Статья | |
| Вид: | электронная копия бумажного издания | |
| Количество частей: | 1 | |
| Год издания: | 2022 | |
| Издательство: | Издательство ПГУ | |
| Индексация: | РИНЦ | |
| Целевая аудитория: | Исследователь, Преподаватель, Учащийся | |
| Целевое назначение: | Научное | |
| Отрасль науки: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и нано -электроника , приборы на квантовых эффектах | |
| Лицензия: | Нет ограничений | |
| Ограничения: | Нет ограничений | |
| Правообладатель: | Головяшкин Алексей Николаевич | |
| ISBN: | 978-5-907600-78-2 | |
| УДК: | 621.317.083-088 | |
| Библиографическая ссылка: | Головяшкин, А. Н. Расчет тока и напряжения насыщения МДП-транзистора в условиях вырожденного канала / А. Н. Головяшкин, М. Лопатов // Методы, средства и технологии получения и обработки измерительной информации («Шляндинские чтения - 2022») : материалы XIV Международной научно-технической конференции с элементами научной школы и конкурсом научно-исследовательских работ для обучающихся и молодых ученых, Пенза, 24–26 октября 2022 года. – Пенза: Пензенский государственный университет, 2022. – С. 25-28. – EDN OMXPVS. | |
| Страницы (с ... по ...): | с 28 по 31 | |
| Общий объем (п.л.): | 38,36 | |
| Внешняя веб-ссылка: | https://elibrary.ru/item.asp?id=49763860 | |
| Язык: | Русский | |
| Место хранения: | ПГУ, вне электронной библиотеки | |
| Дата размещения: | 21.11.2022 | |
| Владелец: | Головяшкин Алексей Николаевич | |
| Ссылка на ресурс: | http://elib.pnzgu.ru/library/1668452394  | |
| Формат: | Не указан |