Исследование параметров и характеристик полупроводниковых компонентов с помощью измерений барьерной ёмкости

Категория: техника
Авторы (ПГУ): Головяшкин Алексей Николаевич [80]  , Вольсков Андрей Александрович [20]  
Аннотация: Представлено описание лабораторных работ по курсу «Твердотельная электроника». Изложена методика исследования параметров и характеристик полупроводниковых активных компонентов с помощью измерений барьерной ёмкости p-n переходов. Приведены краткие сведения по физике полупроводниковых компонентов, методике измерений барьерной ёмкости p-n переходов, построению и анализу получаемых вольт-фарадных характеристик диодных и транзисторных структур.
Тип: Методические указания (рекомендации) для обучающихся по изучению дисциплины (модуля) с учетом формы обучения
Вид: электронная копия бумажного издания
Количество частей: 1
Год издания: 2024
Издательство: Издательство ПГУ
Место опубликования: Издательство ПГУ
Индексация: Индексация отсутствует
Целевая аудитория: Преподаватель, Учащийся
Целевое назначение: Учебное
Лицензия: Нет ограничений
Ограничения: Нет ограничений
Правообладатель: ПГУ
УДК: 621.384 (075.8)
Библиографическая ссылка: Исследование параметров и характеристик полупроводниковых компонентов с помощью измерений барьерной емкости : метод, указания к лабораторным работам / А. Н. Головяшкин, А. А. Вольсков. - Пенза : Изд-во ПГУ, 2024. - 36 с.
Общий объем (п.л.): 2,09
Язык: Русский
Место хранения:ПГУ, вне электронной библиотеки
Дата размещения:06.09.2024
Владелец:Головяшкин Алексей Николаевич
Ссылка на ресурс:
http://elib.pnzgu.ru/library/1725613270
Формат: Не указан